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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
71
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
71
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
7.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
1631
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
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