RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
56
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
40
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3020
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link