RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
56
Por volta de -180% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
20
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
8.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2503
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 0000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link