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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
56
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2527
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
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