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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

Pontuação geral
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Pontuação geral
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G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 15.6
    Valor médio nos testes
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    33 left arrow 56
    Por volta de -70% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.8 left arrow 1,813.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    56 left arrow 33
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,387.7 left arrow 15.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,813.5 left arrow 10.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    693 left arrow 2945

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM

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G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Comparações de RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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