RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
56
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3188
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link