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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
67
Por volta de 16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
67
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
1850
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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