RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
56
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3014
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link