RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
56
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
15.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3914
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link