RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
56
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
15.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3708
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link