RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
56
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
20.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
16.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3878
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link