RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
56
Por volta de -124% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.2
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
19.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
4243
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link