RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
56
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
13.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3049
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link