RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
56
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
11.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3167
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix Kingston 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Mushkin 996902 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link