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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
58
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.7
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
58
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
9.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
7.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2172
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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