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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
56
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
47
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2537
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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