RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
56
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
11.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2370
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link