RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Comparar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Pontuação geral
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
15.5
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
3680
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link