RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Comparar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
52
Por volta de -189% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
14900
Por volta de 1.14 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
18
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
17.8
Largura de banda de memória, mbps
14900
17000
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
3507
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link