RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
52
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
40
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.3
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
2362
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link