Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Pontuação geral
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 52
    Por volta de -100% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.2 left arrow 9.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.7 left arrow 7.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 14900
    Por volta de 1.29 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    52 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.7 left arrow 16.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.2 left arrow 12.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2173 left arrow 2728
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações