RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Comparar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Pontuação geral
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Pontuação geral
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Relatar um erro
Razões a considerar
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
52
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
24
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
10.5
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
2440
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link