RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Comparar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
52
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
14900
Por volta de 1.43 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
33
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.5
Largura de banda de memória, mbps
14900
21300
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
2973
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link