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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Comparar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Pontuação geral
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razões a considerar
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
52
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
27
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
16.0
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
3909
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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