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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Pontuação geral
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
52
Por volta de -136% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
14900
Por volta de 1.43 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
22
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.7
Largura de banda de memória, mbps
14900
21300
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
2633
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
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