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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Comparar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2275
3140
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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