RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Comparar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2275
3372
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link