RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Comparar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2275
2199
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link