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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
13
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2499
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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