RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
14.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
3660
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link