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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2620
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
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