RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
15.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
3621
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link