RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
12.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
3044
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link