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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
49
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
8.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
22
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
14.7
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
3509
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
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