RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.9
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
49
Por volta de -40% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
7.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
2200
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Relatar um erro
×
Bug description
Source link