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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.9
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
49
Por volta de -20% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
41
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
6.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
2044
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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