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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
56
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.9
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
56
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
7.7
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
2200
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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