RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
12.4
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
3244
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link