RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
51
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
21
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3120
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link