RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
51
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
29
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3434
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link