RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
51
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
24
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2491
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G2139U2 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link