RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3628
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link