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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
51
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3500
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
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