RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
51
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
35
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2575
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link