RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
51
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
33
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3422
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link