RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
51
Por volta de -122% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
23
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2993
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link