RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3446
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link