RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
51
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
35
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2905
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link