RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
51
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
36
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2760
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link