RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
51
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
35
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3052
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link